4H-SiC外延层中BPD向TED转化的深度及分布特征
Materials Research and Application（2023）
摘要
采用熔融KOH腐蚀法和化学机械抛光技术对低掺杂4H-SiC外延层进行处理,通过共聚焦激光显微镜和偏光显微镜对基晶面位错(BPD)转化为贯穿型刃位错(TED)的过程进行光学表征,对比BPD与TED的腐蚀坑坑壁斜率变化找到转化点,测量了15个BPD-TED转化点的转化深度,发现93％的转化发生在1μm以内的缓冲层中,仅7％发生在1μm以上的漂移层中,并且平均转化深度为0.59μm,表明BPD-TED的转化主要发生在衬底/外延层的交界处,在外延生长初期就已完成转化.BPD-TED的转化研究,对于理解和优化SiC晶体外延生长具有重要意义.
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