铜纳米颗粒有机浮栅存储器的制备与性能表征

为了降低有机浮栅存储器功能层材料的制作成本,简化器件制备工艺和提高器件存储稳定性,通过多元醇法制取了分散的铜纳米颗粒.基于底栅顶接触型(BGTC)结构,将铜纳米颗粒通过低温旋涂工艺形成薄膜作为电荷俘获层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作为隧穿层制备了有机非易失性浮栅存储器.由透射电子显微镜测试结果可知,制得的铜纳米颗粒平均直径约为25nm.电学性能测试结果显示,制备的存储器有明显的场效应特性和存储特性,在±80V的编程/擦除电压下可获得24.42 V的存储窗口和104 s以上的电荷保持性能.实验结果表明,铜纳米颗粒可作为金、银、铂等贵金属纳米颗粒的高性能、低成本替代材料,在有机浮栅存储器中具有较好的应用前景.