国产电阻阵列技术的发展趋势

Bin Ma,Zhengxi Cheng, Houming Zhai,Zhongyuan Guo,Qiang Liu,Xuemin Zhang,Yi Ding,Yao Chen

Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering（2011）

引用 11|浏览1

暂无评分

摘要

回顾和总结了国产电阻阵列3个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果.第一代64×64电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻,成品率较高但与CMOS工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小；第二代128×128和256×256电阻阵列采用了体材料微机械加工的复合薄膜微型电阻,基本解决了工艺兼容性、均匀性、功耗等方面的问题,但占空比和规模提高有限；第三代128×128复合悬浮薄膜电阻阵列采用了薄膜转移技术,占空比显著提高,功耗明显下降,该技术有望成为今后国产电阻阵列的主流制造技术,但技术成熟度有待进一步提高.最后,对国产电阻阵列未来技术发展进行了展望、分析和探讨.

查看译文

关键词

Hardware-in-the-loop simulation,Membrane transfer,Resistive array,Silicon anisotropic etching

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要