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在清言上使用

Van Der Waals Epitaxy Growth and Characterization of 7:7:8 Commensurate Heterointerfaces Between H-Aln and Two-Dimensional WS2/c-Al2O3

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS(2024)

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关键词
AlN,WS2,van der Waals epitaxy,domain-matching epitaxy,In-plane XRD
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