谷歌浏览器插件
订阅小程序
在清言上使用
VIPCreated with Sketch.

Nonvolatile Organic Floating-Gate Memory Using N2200 As Charge-Trapping Layer

Wenting Zhang, Junliang Shang, Shuang Li, Hu Liu, Mengqi Ma, Dongping Ma

mdpi

引用 0|浏览0
关键词
organic field-effect transistor memory,N2200,tunneling,charge trapping
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要