谷歌浏览器插件
订阅小程序
在清言上使用
VIPCreated with Sketch.

A Novel Approach for Observing Band Gap Crossings Using the SIMS Technique in Pb1-xSnxTe

Zeinab Khosravizadeh,Piotr Dziawa,Sania Dad,Andrzej Dabrowski,Rafał Jakiela

Journal of Semiconductors（2024）

引用 0|浏览3
关键词
SIMS,TCI,ionization probability,work function,Pb1-xSnxTe,band-gap closing
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要