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An Analytical I-V Model of SiC Double-Gate Junctionless MOSFETs

Yi Li, Tao Zhou, Zixuan Guo,Yuqiu Yang, Junyao Wu, Huan Cai,Jun Wang,Jungang Yin, Wenqing Huang,Miao Zhang, Nianxing Hou, Qin Liu,Linfeng Deng

MICROELECTRONICS JOURNAL（2024）

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关键词

SiC,DG JL MOSFET,Subthreshold,Accumulation,I-V

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