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Nonvolatile Logic Gate and Full Adder Based on Tri-Terminal Oxide Resistive Switching Devices

Jifang Cao,Jiabao Ye, Tao Wang,Yong Ding,Ran Cheng,Dong Liu,Bing Chen

MICROELECTRONIC ENGINEERING（2025）

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关键词

3T-RRAM,Modeling,Field effect,Logic gate,Full adder

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