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Effect of Annealing on the Electrical Performance of N-polarity GaN Schottky Barrier Diodes

Nuo Xu,Gaoqiang Deng,Haotian Ma,Shixu Yang,Yunfei Niu,Jiaqi Yu,Yusen Wang, Jingkai Zhao,Yuantao Zhang

JOURNAL OF SEMICONDUCTORS（2024）

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关键词
nitrogen polarity,GaN,Schottky barrier diodes,annealing,interface state
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