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A Behavioral Model for Electron Irradiation Effect on the DC Performance in InP-based HEMT

S. H. Meng, X. L. Han,P. Ding, B. Mei, Y. B. Su, J. L. Zhang, H. Q. Yun, Z. Jin,Y. H. Zhong

Microelectronics Journal（2024）

引用 3|浏览20

关键词

InP-based HEMT,Electron irradiation,DC characteristics,Device modeling

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