14nm FinFET技術における性能及びエネルギーを高めた近閾値電圧動作のための単一ビットライン7T SRAMセルYounghwi Yang,Jeong Hanwool,Song Seung Chul,Joseph Wang,Yeap Geoffrey,Jung Seong-OokIEEE Transactions on Circuits and Systems 1 Regular Papers(2016)引用 0|浏览0AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要