Cs/NF<sub>3</sub> activation of InGaAs photocathode

为了提高InGaAså ‰ç”µé˜´æžçš„å ‰ç”µå‘å°„æ€§èƒ½ï¼ŒæŽ¢ç©¶æ–°åž‹æ¿€æ´»å·¥è‰ºï¼Œé‡‡ç”¨Cs/NF3和Cs/O两种激活方式对InGaAsæ ·å“è¿›è¡Œæ¿€æ´»å®žéªŒã€‚å¯¹åŒä¸€ç»“æž„çš„InGaAsé˜´æžæ ·å“ï¼Œåˆ†åˆ«è¿›è¡Œäº†æ¿€æ´»å®žéªŒã€è¡°å‡å®žéªŒã€å ‰è°±å“åº”æµ‹è¯•å’Œè¡¨é¢æˆåˆ†åˆ†æžï¼Œåˆ†åˆ«ä»Žç™½å ‰å ‰ç”µæµã€è¡°å‡ç¨³å®šæ€§ã€å ‰è°±å“åº”å’Œè¡¨é¢æˆåˆ†ç­‰è§’åº¦æµ‹è¯•å¹¶åˆ†æžäº†ä¸åŒæ¿€æ´»å·¥è‰ºä¸‹é˜´æžçš„æ€§èƒ½å‚æ•°ã€‚é€šè¿‡å¯¹æ¯”Cs/NF3和Cs/O两种激活方式的实验结果可知：Cs/NF3激活后的InGaAså ‰ç”µé˜´æžåœ¨ç™½å ‰å ‰ç”µæµã€æˆªæ­¢æ³¢é•¿å’Œå ‰è°±å“åº”æ–¹é¢æ˜Žæ˜¾ä¼˜äºŽCs/Oæ¿€æ´»åŽçš„æ ·å“ï¼Œå ‰è°±å“åº”çš„å¢žå¼ºæ•ˆæžœåœ¨è¿‘çº¢å¤–æ³¢æ®µå°¤ä¸ºæ˜Žæ˜¾ï¼Œåœ¨1 064 nm处Cs/NF3æ¿€æ´»åŽé˜´æžå ‰è°±å“åº”æ˜¯Cs/O激活后的4.7倍；然而，与GaAså ‰ç”µé˜´æžCs/NF3激活能够获得更高的阴极稳定性这一现象不同，Cs/O激活的InGaAså ‰ç”µé˜´æžçš„ç¨³å®šæ€§æ˜Žæ˜¾ä¼˜äºŽCs/NF3激活，Cs/NF3æ¿€æ´»åœ¨æˆªæ­¢æ³¢é•¿å’Œå ‰è°±å“åº”æ–¹é¢çš„ä¼˜åŠ¿åœ¨è¿žç»­å ‰ç §è¡°å‡åŽæ¶ˆå¤±ã€‚