Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P

Des contacts ohmiques de tres bonne qualite electriques et des capacites MIS fonctionnelles sur diamant de type P sont des briques technologiques fondamentales pour envisager la fabrication de composants MOS diamant. La technique de caracterisation des contacts ohmiques par TLM circulaire a ete validee et des diodes MIS ont donc ete fabriquees. Meme si des optimisations sont encore necessaires, les resultats presentes permettent d'envisager la fabrication d'un demonstrateur de type diode P-TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) en diamant.