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Gate-tunable Hysteresis Response of Field Effect Transistor Based on Sulfurized Mo

S. Mathew,J. Reiprich, S. Narasimha, S. Abedin,V. Kurtash, S. Thiele, T. Scheler, B. Haehnlein,P. Schaaf,H. O. Jacobs,J. Pezoldt

AIP ADVANCES（2023）

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关键词

Resistive Switching

AI 理解论文

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