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The Dissociation of (a+c) Misfit Dislocations at the InGaN/GaN Interface

J. Smalc-Koziorowska,J. Moneta,G. Muziol,W. Chrominski, R. Kernke,M. Albrecht, T. Schulz,I. Belabbas

JOURNAL OF MICROSCOPY（2024）

引用 2|浏览14
关键词
(a plus c) dislocation,dissociation mechanism,InGaN,nitride semicondutors
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