PCM设备电容参数整体校准方法研究

QIAO Yu-e, LIU Xia-mei, DING Chen, ZHU Chao,WU Ai-hua

Acta Metrologica Sinica（2023）

引用 0|浏览2

暂无评分

摘要

半导体行业中普遍使用的工艺过程监控设备(PCM设备),是芯片产品中测环节必不可少的测量设备.PCM设备电容参数的准确测量,是保证与电容制作相关工艺参数的重要手段.针对国内PCM设备电容参数暂无溯源途径现状,根据其测试原理,研究了基于在片电容标准件的整体无损校准方法.采用增加绝缘层的半导体工艺,研制了高稳定性、频响至1 MHz、电容低至0.5 pF的在片电容标准件,满足了国内PCM设备电容参数自动校准需求,测量不确定度优于1％.研究了PCM设备电容参数溯源方法,从而保证了芯片产品PCM图形电容量值测量结果的准确一致,提高了计量效率.

关键词

metrology,on-wafer capacitor standards,PCM,whole-calibration,calibration device,traceability

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要