基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC同质外延技术进展

ZHAO Zhifei,WANG Yi, ZHOU Ping,LI Shiyan,CHEN Guran, LI Yun

Research & Progress of Solid State Electronics（2023）

引用 0|浏览2

暂无评分

摘要

高阻断电压、大功率密度、高转化效率是电力电子器件技术持续追求的目标,基于4H-SiC优异的材料特性,在电力电子器件应用方面具有广阔的发展前景.围绕SiC MOSFET器件对外延材料的需求,介绍了国内外主流的SiC外延设备及国产SiC衬底的发展,并重点介绍了宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室在国产150mm(6英寸)SiC衬底上的高速外延技术进展.通过关键技术攻关,实现了 150mm SiC外延材料表面缺陷密度≤0.5 cm-2,BPD缺陷密度≤0.1 cm-2,片内掺杂浓度不均匀性≤5％,片内厚度不均匀性≤1％.基于自主外延材料,实现了 650～1 200 V SiC MOSFET产品商业化以及6.5～15 kV高压SiC MOSFET器件的产品定型.

查看译文

关键词

SiC epitaxial reactor,substrates,4H-SiC,homoepitaxy,epitaxial defects

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要