大尺寸Si基GaN HEMT外延薄膜的生长
Modern Informationn Technology（2022）
摘要
通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,在6英寸硅(111)衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)的无裂纹、高均匀性且翘曲度可控的GaN HEMT外延薄膜.通过引入双层AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格和AlN/GaN超晶格作为AlxGa1-xN应力控制层,解决了硅基GaN HEMT外延的裂纹和翘曲控制问题,且二维电子气(2DEG)浓度可达8.9×1012 cm-2,迁移率高达1980 cm2/(V?s).器件的I-V曲线表明当漏电流为1μA/mm2,击穿电压大于800 V,具备较高的耐压和不漏电的特性.
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