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Physics-Based Analytical Channel Charge Model of In x Ga1-x As/In0.52Al0.48As Quantum-Well Field-Effect Transistors From Subthreshold to Strong Inversion Regimes

Hyeon-Seok Jeong,Wan-Soo Park,Hyeon-Bhin Jo,In-Geun Lee,Tae-Woo Kim,Takuya Tsutsumi,Hiroki Sugiyama,Hideaki Matsuzaki,Sung-Ho Hahm,Jae-Hak Lee,Dae-Hyun Kim

IEEE Journal of the Electron Devices Society（2022）

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