Propiedades optoelectrónicas de películas delgadas de Bi2(S1-xSex)3 obtenidas por el método SILAR

Películas delgadas de Bi2(SxSe1-x)3 fueron obtenidas por el método SILAR a partir de soluciones precursoras de Bi(NO3)3, C2H5NS y Na2SeSO3. La composición de las películas se modificó mediante la razón S:Se, variando la concentración de las soluciones precursoras. Las películas fueron sometidas a tratamiento térmico a 300*C en vacío. Las caracterizaciones estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas fueron llevadas a cabo. Se obtuvieron películas cristalinas que concuerdan con las fases Bi2S3 y Bi2Se3, con tamaño de cristal desde 15 nm hasta 18 nm con el incremento de la cantidad de Se. La energía de banda prohibida calculada disminuyó desde 1.7 eV hasta 1.45 eV con el aumento de Se. Las películas mostraron foto-respuesta en la región del espectro visible, demostrando propiedades adecuadas para aplicaciones en celdas solares y fotoelectrolíticas.