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Experimental Study of NBνN Barrier Structures Based on MBE N -Hgcdte for MWIR and LWIR Photodetectors

Journal of Communications Technology and Electronics(2023)

引用 2|浏览18
关键词
current–voltage characteristic,admittance,impedance,MCT,HgCdTe,molecular beam epitaxy,barrier structure,NBνN
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