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Low Switching Loss Built-In Diode of High-Voltage RC-IGBT with Shortened P+ Emitter.

Wei Wu,Yansong Li,Mingkang Yu, Chongbing Gao, Yulu Shu,Yong Chen

MICROMACHINES（2023）

引用 1|浏览11

关键词

RC-IGBT,reverse recovery characteristics,IGBT characteristics

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