一种新型抗SEU的SRAM单元结构设计

在加速器粒子物理实验中,基于专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)在读出电子学前端实现模拟信号调理、数字化等功能是一个发展趋势,但这也使得ASIC暴露在了高能粒子辐射环境中,而其中的静态随机存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)容易受到辐射的影响产生单粒子翻转(Single Event Upset,SEU),从而使芯片工作异常.因此对ASIC中的SRAM进行抗辐照加固设计十分必要.本工作提出了一种基于施密特触发器结构的11管抗SEU SRAM存储单元,并在180nmCMOS工艺下进行了电路的设计和仿真,仿真结果表明,与传统12管SRAM单元相比,抗单粒子翻转能力有明显增加,且功耗仅为12管单元的42％.