200 keV电子辐照后β-Ga2O3光学色心的激光功率依赖性
Journal of Taiyuan University of Science and Technology（2023）
摘要
利用光致发光光谱研究了200 keV电子辐照β-Ga2 O3光学色心的功率依赖性.经过对比辐照前后样品,发现光谱中684 nm、690 nm和697 nm零声子线强度发生了明显的变化,而且在715 nm红光区域处出现了一个宽带.通过线扫描光致发光光谱图发现在辐照区域中心处发光强度最强,在边缘区域强度逐渐减弱.为了进一步了解光学色心的性质,并且进一步了解β-Ga2 O3样品缺陷的性质.对β-Ga2 O3样品进行了激光功率依赖性的研究,研究发现β-Ga2 O3光学色心主要受到辐射复合和俄歇复合协同作用的影响,且684 nm零声子线受俄歇复合影响最大.
更多AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要