一种抗辐射加固带隙基准的设计方法

介绍了一种双极型抗总剂量辐射带隙基准的设计方法.该方法基于带隙基准结构,通过引入负反馈采样电路,来补偿总剂量辐照后晶体管性能退化引起的基准电压漂移,动态维持基准电压的初始精度,减小总剂量辐照的影响.同时,给出了实验结果,展示了抗总剂量辐照带隙基准取得的有益效果.该抗总剂量辐射带隙基准的设计方法是在电路结构设计上开展的加固优化设计,结合工艺加固措施,可一定程度上提升基准电路的抗总剂量能力,通过线路扩展可形成一个完整的抗辐射带隙基准单元.