分子印迹电化学发光传感器的制备及其对卡那霉素的测定应用

制备了硫化镉量子点-壳聚糖(CdS-CS)复合物修饰的玻碳电极(GCE),记作CdS-CS/GCE.以卡那霉素为模板分子,3-氨基苯硼酸(APBA)为功能单体,采用循环伏安法在CdS-CS/GCE表面电聚合得到了分子印迹聚合物(MIP)膜,所制备的传感器记作MIP/CdS-CS/GCE.卡那霉素可与传感器表面的MIP特异性结合,占据印迹孔穴,阻断共反应剂K2 S2 O8扩散到电极表面的通路,使电化学发光强度减弱.以传感器在空白溶液中的电化学发光强度(I0)与传感器在卡那霉素标准溶液中的电化学发光强度(I)的差值ΔI(ΔI=I0-I)作为响应信号,在优化的试验条件下,响应信号ΔI与卡那霉素浓度的对数值在1.0×10-11～1.0×10-7 mol·L-1内呈线性关系,相关系数为0.9990,检出限(3S/N)为5×10-12 mol·L-1.按标准加入法对实际样品进行回收试验,回收率为99.9％～103％,测定值的相对标准偏差(n=5)为2.5％～4.3％.