聚变材料钨辐照后退火形成的位错环特性及inside-outside 衬度分析

对纯钨透射电镜薄膜样品在400℃进行了 58 keV、1×1017 cm-2(约0.1 dpa)的氘离子辐照,辐照后进行了 900℃/1 h的退火处理.离子辐照产生了平均尺寸为(11.10±5.41)nm,体密度约为2.40x1022 m-3的细小位错环组织,未观察到明显的空洞组织.辐照后退火造成了位错环尺寸的长大和体密度的下降,分别为(18.25±16.92)nm和1.19×1022 m-3.通过透射电镜的衍射衬度分析,判断辐照后退火样品中的位错环主要为a/2(111)类型位错环.通过"一步法"inside-outside衬度分析判断位错环为间隙型位错环.辐照后退火还造成了较大位错环之间接触融合,形成不规则形状的大型位错环.此外,退火后样品中还观察到了尺寸为1-2 nm的细小空洞组织.