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Electron Mobility in GaN Layers and HEMT Structure Optimized by MOVPE Technological Parameters

Alice Hospodkova,Frantisek Hajek,Tomas Hubacek,Zuzana Gedeonova,Pavel Hubik, Jirf J. Mares, Jirf Pangrac,Filip Dominec,Karla Kuldova,Eduard Hulicius

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH（2023）

引用 3|浏览40

关键词

A1,HEMT,GaN,A3,Metalorganic vapor phase epitaxy

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