Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур p-Si/p-Ge/n-=SUP=-+-=/SUP=--Si(001) с Ru- и Ag-электродами

Д.О. Филатов,О.Н. Горшков,В.Г. Шенгуров,С.А. Денисов, М.Е. Шенина, В.Е. Котомина, И.Н. Антонов, А.В. Круглов

Письма в журнал технической физики（2023）

引用 0|浏览7

暂无评分

摘要

Исследованы электрические характеристики лабораторных макетов мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур p-Si/p-Ge/n+-Si(001) с Ag- и Ru-электродами. Мемристоры с Ru-электродами демонстрируют меньшее напряжение электроформовки и большее отношение токов в состояниях с низким и высоким значениями сопротивления по сравнению с мемристорами с Ag-электродами. Также в мемристорах с Ru-электродами обнаружена инверсия полярности резистивного переключения. Указанные эффекты обусловлены большей подвижностью ионов Ru3+ в прорастающих дислокациях в слоях p-Si/p-Ge вследствие их меньшего ионного радиуса. Ключевые слова: мемристор, эпитаксиальные слои SiGe, резистивное переключение.

查看译文

关键词

переключение мемристоров,эпитаксиальных

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要