考虑阻尼器偏转角的双向支承式TMD系统参数优化研究

双向支承式调谐质量阻尼器(Tuned Mass Damper,TMD)的阻尼元件在平面运动过程中产生与结构双轴偏离的阻尼器偏转角.因此,建立了考虑TMD阻尼器偏转角的结构-TMD运动方程,并对考虑阻尼器偏转角的双向支承式TMD系统进行参数分析.提出双向支承式TMD系统考虑阻尼器偏转角的优化方法,即基于H∞优化方法,利用非支配排序遗传算法求得双向TMD最优参数的数值解.以某高层景观塔作为工程算例,检验TMD阻尼器偏转角对减振效果的影响规律.结果表明:忽略TMD阻尼器偏转角将高估双向支承式TMD的减振控制效果,优化后的双向支承式TMD能提供更多的等效阻尼,结构位移响应衰减率降低1.46％,TMD最终阻尼耗能提升7.83％.优化后的TMD阻尼器的出力峰值降低,阻尼器行程增大,使双向支承式TMD具有更优的耗能能力.