红外隐身[Si/MgF 2 ] N 一维光子晶体设计与计算

针对光子晶体在红外隐身方面的结构设计和需求，本工作通过求解麦克斯韦方程，构建多层薄膜系统的光学传输矩阵，为光子晶体在3～5μm和8～14μm处隐身提供材料选择和结构优化的方案。选择高折射率材料Si与低折射率材料MgF 2 ,设计[Si/MgF 2 ] N 多层膜结构，推导其红外高反射态。从波动光学理论出发，介绍一维光子晶体红外隐身技术的最新进展与相关原理，计算入射角、周期数、尺寸以及折射率四个因素对光子晶体红外隐身效果的影响。结果表明，要在复杂的工作状况下实现红外隐身，除结构优化外，还需注重材料的选择。