InP的快速大容量注入合成机理分析及多晶制备

Li Yanjiang,Wang Shujie,Sun Niefeng,Chen Chunmei,Fu Lijie,Jiang Jian,Zhang Xiaodan

Semiconductor Technology（2022）

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摘要

对于磷化铟(InP)的合成来说,合成的时间越快、纯度越高,合成熔体的配比度越高、熔体的利用率越高,合成量越大、成本越低.为实现InP的快速大容量合成,分析了注入合成的物理条件、气体传输过程、界面反应机理和注入气泡速率对合成的影响.通过对机理的分析,优化了注入合成条件和冒泡速率,提高了注入合成过程的可控性,在3 h内合成了 10 kg高纯InP多晶,通过直拉法进一步提拉生长,最终制备的InP多晶载流子浓度≤2×1015 cm-3,迁移率＞4 500 cm2·V-1·s-1,为实现大尺寸单晶批量化制备奠定了基础.

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