镍基合金基板厚膜发热元件的铂浆烧结工艺
Materials Science and Engineering of Powder Metallurgy（2021）
摘要
采用印刷-烧结工艺在GH783合金表面制备微晶玻璃绝缘层和铂浆厚膜电阻层,制备GH783合金基板厚膜发热电路.通过SEM观察铂浆厚膜电阻层的表面与截面形貌,并测定厚膜电阻层的电阻,研究烧结温度和保温时间对电阻层微观形貌和电阻的影响,得到最佳的烧结工艺参数.测定GH783合金厚膜发热电路的电阻温度系数和升温速率.结果表明,铂浆厚膜电阻层的最佳烧结工艺参数为:烧结温度为850℃,保温时间为5 min.所得GH783合金基板厚膜发热元件的电阻温度系数精度为0.24％,从室温升温至350℃用时为4.86 s,表现出优良的发热性能.本研究结果为金属基发热元件的制备提供了设计思路和实验案例.
更多AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要