层状硫掺杂黑磷晶体的高频电磁性能

电子设备的增多使得吸波材料在军事和民用领域具有广泛的应用.当前研究的重点在于制备吸收强、频带宽、质量轻、厚度薄的新型吸波材料.利用高温高压成功合成黑磷(BP)和硫掺杂黑磷(BP-S)晶体,并使用液相剥离的方法制备BP和BP-S纳米片.高频电磁参数测量发现相较于BP,硫元素的掺杂使得BP-S复数介电常数和介电损耗正切值在频率1.0～16.5 GHz情况下明显提高.BP-S在9.6 GHz处最小反射损耗可达到-41.1 dB;当厚度在1.0～2.0mm范围内变化时,小于-10 dB的反射损耗频率范围为7.0～16.1 GHz.BP-S的最小反射损耗频率点与材料厚度符合λ/4阻抗匹配模型.综上,层状硫掺杂黑磷作为高性能介电损耗吸波材料具有广阔的应用前景.