4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善

DONG Zhihua, LIU Hui, ZENG Chunhong,ZHANG Xuan,SUN Yuhua,CUI Qi,CHENG Zhiqun,ZHANG Baoshun

Research & Progress of Solid State Electronics（2022）

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摘要

采用磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀装置对4H-SiC进行深槽刻蚀.研究了偏置电源功率和反应腔室压强对深槽中微沟槽效应和侧壁粗糙度的影响.实验发现:提高偏置电源功率和腔室压强可以消除深槽中的微沟槽效应,并且提高腔室压强还可以改善深槽侧壁的粗糙度.分析了其中的刻蚀机理,实验结果和分析对研究SiC深槽刻蚀具有一定的指导意义.

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