高致密碳化硅陶瓷的低温液相烧结
Journal of Ceramics（2022）
摘要
SiC陶瓷具有强共价键结构,表面扩散系数较低,其低温烧结致密化一直是业内学者研究的焦点之一.利用Pr3Si2C2与SiC在～1150℃发生低温共晶液相转变可促进SiC烧结的原理,采用熔盐法,在SiC颗粒表面原位生长出Pr3Si2C2,促进了 Pr3Si2C2烧结助剂与SiC颗粒的均匀分散.通过电场辅助烧结,在1500℃低温下实现了 SiC陶瓷的高致密化(气孔率～0.3％),热导率达到106 W·m-1·K-1.通过对SiC陶瓷微观结构分析,其烧结过程为典型的液相烧结溶解—沉淀机制.本文Pr3Si2C2低温烧结助剂的开发为SiC陶瓷及其复合材料的低温烧结提供了实验依据.
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