Bi2S3/CdSe共修饰TiO2纳米管膜的构建及其光电化学阴极保护效应

为获得良好光电化学性能的TiO2半导体复合膜,采用Bi2S3和CdSe对TiO2纳米管膜进行共修饰.以阳极氧化法在Ti表面先制备TiO2纳米管膜,再通过恒电流电沉积和连续离子层吸附反应在纳米管表面依次沉积CdSe和Bi2S3,构建了具有级联能带结构的Bi2S3/CdSe共修饰的TiO2纳米管复合膜.结果表明,Bi2S3/CdSe/TiO2纳米管复合膜对可见光吸收显著增强,光电化学性能大幅度提高.白光照射下,复合膜的光电流密度为670 μA·cm-2,达到了纯TiO2纳米管膜的17.6倍.Bi2S3/CdSe/TiO2复合膜作为光阳极可使0.5 mol·L-1NaCl溶液中的403不锈钢的电位相对于腐蚀电位下降690 mV,显示出良好的光电化学阴极保护效应.