全SiC结构高温压力传感器制备及测试
Measurement & Control Technology（2022）
摘要
面向极端条件下原位压力测量技术的需求,设计了一种光纤法珀式碳化硅(SiC)高温压力传感器.采用全SiC真空法珀(F-P)腔结构,以最大限度发挥SiC材料优异的耐高温特性.通过用反应离子刻蚀和高温高压键合技术成功制备了全SiC式高温压力传感器,实现高温环境下的原位压力测量.实验结果表明,该传感器能够实现650℃高温环境下6 MPa的压力测量.650℃下传感器的光谱压力灵敏度达到4.05 nm/MPa,温度压力交叉灵敏度为1.09×10-3MPa/℃.研究成果为面向高温环境下压力原位测量的传感器开发提供了思路.
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