铁电全闭合畴结构的稳定性研究

铁电薄膜中的全闭合畴结构由于在高密度存储器中的潜在应用而受到广泛关注.本文在GdScO3、DyScO3两种衬底上生长了不同中间层的PbTiO3多层膜,利用透射电子显微镜对同一衬底不同中间层、同一中间层不同衬底的PbTiO3多层膜畴组态进行了系统的研究.结果表明,在GdScO3衬底上生长的PbTiO3多层膜,当中间层由SrTiO3更换为GdScO3或DyScO3时,PbTiO3中由"V"型全闭合畴结构变为a1/a2畴.在DyScO3衬底上生长的PbTiO3多层膜,当中间层选用DyScO3时为"H"型全闭合畴、c畴、"V"型全闭合畴共存的状态.本研究完善了对全闭合畴结构稳定条件的认识,有利于其在铁电存储器等方面应用的进一步发展.