不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究

XIANG Chuanfeng,LI Xiaolong,LU Wu, WANG Xin,LIU Mohan,YU Xin,CAI Jiao,ZHANG Ruiqin,HE Chengfa,XUN Mingzhu,LIU Haitao,ZHANG Wei,YU Gang,GUO Qi

Atomic Energy Science and Technology（2021）

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摘要

本文选用特殊测试结构的栅控横向PNP(gated lateral PNP,GLPNP)双极晶体管为研究对象,在不同辐照温度下,得到了温度和剂量对GLPNP双极晶体管辐射损伤的响应机制.试验结果表明,温度和剂量是影响界面陷阱电荷生成和退火动态平衡的关键因素.在低剂量阶段,高温辐照会导致GLPNP双极晶体管辐射损伤加快,在高剂量阶段,适当降低温度会促进界面陷阱电荷的生长.

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关键词

interface-trap charge,GLPNP bipolar transistor,total ionizing dose effect,temperature effect

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