二硫化锡薄膜场效应晶体管的可见光探测特性
Semiconductor Technology（2022）
摘要
采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS2薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS2薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性.结果 表明,制备的SnS2薄膜具有良好的结晶度,SnS2薄膜背栅型FET具备良好的栅压调控特性.器件对波长为405 nm的蓝紫光表现出明显的光响应,光响应度高达456.82 A·W-1,外量子效率为1.40× 105％,比探测率为7.12× 1012 Jones,并且具有较快的光响应速度,上升和下降响应时间分别为1 ms和0.5 ms.器件的光探测性能受栅压调控,当栅压为40 V时,器件的光响应度可达730 A·W-1.
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