基于全SiC MOSFET的轨道交通牵引逆变器高频负面效应分析及其应对策略
Electric Drive for Locomotives（2020）
摘要
分析了轨道交通用牵引变流器采用SiC器件后,功率开关器件的高开关速度和高开关频率会给牵引系统设计带来负面问题.结合理论分析和实测结果,对采用全SiC MOSFET与传统Si基IGBT器件在牵引逆变系统电磁干扰、电机端的电压变化率du/dt和过电压、电机轴承电压等方面进行对比分析;针对SiC MOSFET带来的负面效应提出相应的抑制策略,满足既有牵引系统应用要求.
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