E波段3.5 W GaN宽带高功率放大器MMIC
Research & Progress of Solid State Electronics（2022）
摘要
基于自主开发的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作频段覆盖E波段(60～90 GHz)的宽带高功率放大器芯片.放大器采用密集通孔结构的共源极晶体管,降低寄生效应,提高器件的高频增益.同时采用三级级联拓扑结构,结合紧凑的微带线宽带匹配电路,在60～92 GHz频率范围内,典型线性增益达到10.4 dB,增益平坦度为±1dB,输入输出回波损耗小于等于-11dB.通过行波式功率合成网络,在连续波状态下,芯片全频带内饱和输出功率不低于1.7 W.在64 GHz,最高输出功率达到3.5 W,相应功率增益为8.4 dB,功率附加效率为12.6％.
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