Поверхнева фото-ерс структур Au−C60−Si

У роботі методами спектроскопії поверхневої фото-ерс, фото-люмінесценції, AFM та FTIR досліджено структуру Au–C60–Si. Досліджено також кінетику поверхневої фото-ерс. Показано, що фотолюмінесценція та поверхнева фото-ерс в інтервалі 1,3–1,8 еВ зумовлені оптичними переходами за участі синглетних та триплетних екситонних станів. Встановлено, що генерація поверхневої фото-ерс у структурі Au–C60–Si зумовлена просторовим розділенням електронно-діркових пар в плівці C60.