ゲートファーストプロセスによる遠隔界面層洗浄技術及びV t チューニング双極子を用いた極端スケールHfO 2 (EOT0.42nm)における移動度機構の理解 T. Ando,Martin M. Frank,Kisik Choi,Chang Hwan Choi,John Bruley,Marinus Hopstaken,Matthew Copel,Eduard A. Cartier, A. Kerber,Alessandro C. Callegari, Dianne L. Lacey,Stephen L. Brown,Qingyun Yang,Vijay Narayananinternational electron devices meeting（2009）引用 0|浏览7暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树，研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要
