Siフィンのエピタキシャルクラッディングに基づく高移動度Si 0.55 Ge 0.45 pチャネルFinFETの性能と信頼性
Hans Mertens, Romain Ritzenthaler,Andriy Hikavyy,J. Franco, Jae Woo Lee,D. P. Brunco,Geert Eneman,Liesbeth Witters,Jerome Mitard,Stefan Kubicek,Katia Devriendt, Diana Tsvetanova,Alexey Milenin,Christa Vrancken, J. Geypen,Hugo Bender,Guido Groeseneken, W. Vandervorst,Kathy Barla,Nadine Collaert,Naoto Horiguchi, Thean A.V-Y. symposium on vlsi technology（2014）
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