電荷トラップトランジスタ(CTT):高k金属ゲートCMOS技術のための埋め込まれた完全ロジックコンパチ多重時間プログラマブル不揮発性メモリ要素【Powered by NICT】Khan Faraz,Cartier Eduard, C S Woo Jason, S Iyer SubramanianIEEE Electron Device Letters(2017)引用 0|浏览13暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要