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抵抗ランダムアクセスメモリにおけるBNに基づく挿入層によるソフトブレークダウン成形とを産生する優れた持久運動能力の程度の制御【Powered by NICT】

Tsai Tsung-Ming, Wu Cheng-Hsien,Chang Kuan-Chang, Pan Chih-Hung, Chen Po-Hsun,Lin Ni-Ke,Lin Jiun-Chiu, Lin Yu-Shuo,Chen Wen-Chung,Wu Huaqiang, Deng Ning, Qian He

IEEE Electron Device Letters（2017）

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