P型调制掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器

1.3 μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源.理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子柬外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器.另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺.最终实现了300 μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3 μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力.