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Changes in band alignment for ALD during annealing at 60C of ALD SiO2 on (InxGa1-x) 2O3 for x= 0.25= 0.74

C Fares,M Xian,D Smith,M McCartney,M Kneiß,H Von WEnckstern

user-5f8411ab4c775e9685ff56d3（2020）

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